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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查,由于Server(服務器)終端庫存調整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài),并計劃在第三季擴大產能,以滿足AI和服務器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳,
- 關鍵字: TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
- 關鍵字: 內存 NAND Flash
1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術,為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關鍵字: NAND Flash
存儲亮劍!NAND技術多點突破
- 人工智能(AI)市場持續(xù)火熱,新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時,也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024(the Future of Memory and Storage)舉行,諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論,廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外,大會現(xiàn)場,NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范,進一步統(tǒng)一存儲架構、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
- 關鍵字: 存儲 NAND TrendForce
為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?
- NAND 閃存已經達到了一定的密度極限,無法再進一步擴展。
- 關鍵字: NAND
三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機?
- 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD),專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少,因
- 關鍵字: 三星 固態(tài)硬盤 V-NAND
鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉,鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件,和現(xiàn)行產品相比,存儲容量提高約50%,寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
- 關鍵字: 鎧俠 NAND Flash
NAND市場,激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能(AI)相關半導體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動,NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前,NAND 閃存市場的競爭正在加劇,存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產,這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
- 關鍵字: 三星 第九代 V-NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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